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第零章常用公式定义第一章——坐标变换与哈密顿算子1、坐标变换公式2、哈密顿算子性质3、各坐标系下哈密顿算子性质第二章——位函数与矢量方程1、位函数2、矢量方程第三章——边界条件方程1、边界条件方程第四章——静电场1、对称/非对称场结论2、电偶极子3、电极化4、静电场的哈密顿算符/边界方程5、电场能量/电容6、n个导体平面相对第五章——恒定电流场1、电导、电阻、电功率2、JDεσ对偶/恒定电流场边界条件第六章——恒定磁场1、对称/非对称场结论2、磁偶极子3、磁位4、磁化5、恒定磁场的哈密顿算符/边界方程6、磁场能量/磁阻7、自感第七章——静态场边值问题1、平面电场镜像2、平面磁场镜像3、实心导体球镜像4、圆柱面镜像5、两圆柱电容第八章——正弦电磁场1、正弦场量2、色散/坡印廷矢量3、k、E、H转换4、极化5、波的衰减6、极化波/驻波/折射反射第九章——导行波1、TE/TM波2、波导中的能量损耗3、TEM波第十章——电磁辐射1、赫芝偶极子2、磁偶极子天线辐射3、天线阵最终章——公式推导合集
本章用于定义一些常用的方程及其简称,方程简称见右端的括号。
本构方程不必言明即可直接应用:
式(1.1.1)对应元素相等,例如:
并且给出坐标间的变换公式:
考虑到此处雅可比矩阵是正交矩阵,将它们转置过来,即可得到逆变换,考虑到我们希望矩阵里由新的基的元素表示,因此如此化简:
关于(1.2.4)式,详见参考文献1:
关于(1.3.4)式,矢量拉普拉斯算子与标量算子具有类似的特性,其中柱坐标采用文献公式(21)展开,但球坐标过长,所以保留了原矢量格式,详见参考文献1:
矢量磁位函数+动态电位:
其中(2.1.3)式推导见<跳转到推导1>
对于无电流区域(),标可以定义量磁位:
达朗贝尔方程:
若:
亥姆霍兹方程:
若区域内没有电荷(),设:
其中(PPE)式推导见跳转到推导2
因此:
有限/无限长直导线:
有限/无限大圆盘:
对称均匀球:
半径R的圆环中垂线:
电偶极距:
电转矩:
体极化电荷:
面极化电荷(其中为自己指向外面):
D、E、P关系:
极化电荷与原场关系:
边界方程:
D的法向分量(方向为2指向1):
E的切向分量为0:
光学性质(假设边界无自由电荷):
如果2区是理想导体,那么1区电场夹角近似于0度,即与表面垂直,故分界面处处等势。
电位方程:
由(PPU)可得泊松方程:
电场能量:
电容器:
平行电容器:
圆柱电容器:
球形电容器:
孤立导体球:
共要列2n个方程——
不接地平面:
接地平面:
接地部分电荷守恒方程变易为接地端电荷为0
定义电导率:
低频欧姆定律:
焦耳定律:
无外源恒流场、无电荷静电场具有对偶关系
静电场(ρ=0) | E静 | U静 | D静 | Q静 | ε |
---|---|---|---|---|---|
恒定电场(电源外) | E恒 | U恒 | J恒 | I恒 | σ |
假设电场是恒定电流场,此时有:与
如果2区是理想导体,那么1区电场夹角近似于0度,即与表面垂直,故分界面处处等势。
有限/无限长直导线:
圆环导线:
密绕螺绕环:
无限大带电平面:
磁偶极距:
磁偶极子的标量磁位:
磁转矩:
恒定磁场矢量磁位:
由位函数定义(2.1.1)、(2.1.3) 可知:,并且满足库伦规范
由(PPA)可得:
无电流区域()标量磁位:
磁介质矢量磁位1:
体磁化电流密度:
面磁化电流密度:
磁介质矢量磁位2:
磁介质标量磁位1:
磁荷体密度:
磁荷面密度:
边界方程:
B的法向分量0:
H的切向分量为:
光学性质(假设边界无自由电荷):
如果2区是理想铁磁导体,那么1区电场夹角近似于0度,即与表面平行,铁磁介质的磁场矢量与分界面平行。
电位方程:
由(PPA)可得泊松方程:
磁场能量:
对于大半径为、小内径为a、有d缝隙的环形铁芯,若其,在其绕上N匝电流为I的线圈。
定义磁阻:
则回路满足:
其中称为回路的磁动势。
单位长度匝数为、截面积为、长度为的长直螺线管自感:
匝密绕螺线管自感:
两电感串联顺接:,反接:
多匝线圈总互感:
长为的圆截面导线自感为:
双线传输线单位长度自感为(距离为,导线半径为):
若式(6.7.5)的:
磁导率为的圆柱同轴导体,中间夹有的真空层,内导体半径为,外导体内径为,外径为,求单位长度的电感:
当且时,外自感占主要:
设的全空间充满介质,的全空间充满介质。并且在处放有点电荷,则:
通过推导(跳转到推导3),可以得到结论:
特别地,当的全空间充满的理想导体时:
与平面电场镜像类似地,考虑到电磁对偶关系,做替换:
假设在半径为的导体球外,处有一个点电荷,则:
(考虑到导体球电势等于不加导体球时原导体球心的电势)
假设在半径为的圆柱导体外,处有一个点电荷,则:
在、处分别有一个半径为的导体柱,求它们之间的电容:
当时,令:
复场矢量采用Einstein求和约定(对指标x求和):
其中:
瞬时场矢量(不妨设k、r只有z分量,且E只有x分量):
设媒质无耗散,则:
等效复电容率:
瞬时坡印廷矢量:
复坡印廷矢量:
平均坡印廷矢量:
无功功率计算:
平均坡印廷矢量:
不妨约定:
则矢端曲线方程:
其中:
复波矢量:
引入Q(Q越大,损耗越小,越接近理想电介质):
对于良好导体(,焦耳损耗大)则衰减常数、波阻抗、透入深度:
良好导体平均功率流密度/表面阻抗:
R为反射系数,T为折射系数:
垂直极化波:
平行极化波:
反射系数(1->2垂直入射,令):
驻波比:
布儒斯特角(全折射):
对于垂直极化波,如果μ1=μ2,则不可能全折射。
而对于平行极化波,如果μ1=μ2,则有布儒斯特角,以此入射则可发生全折射,可以用于起偏器,将圆极化光转化为偏振光:
全反射临界角(大于临界角θ0则可以全反射),可用于将线极化波转化为圆极化波,以及介质波导:
对于临界全反射()而言,事实上会引入一个相位滞后:
设导波装置沿着轴,衰减常数为,,则:
对于各分量:
传播常数:
截止频率、截止波长、相位常数、相速度、导波波长:
波阻抗:
其中TE10模是比较特殊的,往往来说它的波长最大。
传输功率:
TE10模的传输功率(其中Em是x=a/2处的幅度,亦即最大幅值):
理想波导的传播常数只有虚部,但实际波导会有一个衰减常数实部,即,此时衰减常数即为:
根据(9.1.2),对于TEM波,有
优点:
缺点:
近区解:
因为近区电磁有π/2的相位差,故坡印廷矢量为0,没有向外辐射能量。
远区解:
平均坡印廷矢量:
平均辐射功率:
辐射电阻:
考虑到表达式中有着因子的存在,记一个归一化函数如下:
其中对于赫芝偶极子,方向性函数为:
远区解:
设二元天线阵
则超前相位,其中d为两天线距离,α为天线与天线阵轴线夹角,则合成电场的复振幅为:
对于n元天线阵,不妨设它们电流相等:
其中被称为阵因子,被称为归一化的阵因子。
当时,阵因子最大。
对于同相电流,垂直情形最大。
由于时间原因,本来这一节是重头戏的,结果没做了。。。
推导1如下:
如下(H) +(2.1.1)+(2.1.2) ->求散度>简->
(?.1)+(NXX)>简->
为使得(?.2)右边括号处为0,故引入了(2.1.3)式
推导2如下:
(WE)+(WH)+(NXX)+(WD)->
设,(?.1)->简->
(PPE)得证
推导3如下:
由(4.4.4)->+
(?.1)->简->
(?.2)->简->
(?.3)+(?.4)->简->
(7.1.1)得证